Учёные спроектировали рабочий датчик изображения с 900 пикселями толщиной в один атом

[admin_]

Группа исследователей пришла к необычной разработке. Создан датчик изображения на основе двумерного полупроводника
Стали известны "пикантные подробности" из молодости Терешковой
Совсем недавно учёным удалось создать работающий датчик изображения на основе двумерного полупроводника, хотя обычно подобные эксперименты успешно не заканчиваются.
Современные датчики изображения (матриц) в фото и видеоустройствах зачастую состоят из обычных кремниевых полупроводников, которые изготавливаются по КМОП-технологии. Группа учёных в своём исследовании решила заменить кремний другим полупроводником, использовав дисульфид молибдена, атомарно тонкий материал, который впоследствии заимел широкое применение в различных экспериментальных устройствах.
Исследование началось с выращивания атомарной плёнки дисульфида молибдена на сапфировой подложке путём осаждения из паровой фазы, далее сняли с сапфира и поместили на подготовленную поверхность из диоксида кремния с вытравленной проводкой. После этого нанесли очередной слой из проводки в конечном итоге получили сетку из 30 на 30 пикселей, каждый из которых является микроустройством, состоящим из источника и стокового электрода. Освещение, создаёт заряд на каждом пикселе - это оказывает значимое влияние на передачу тока между электродами источника и стока.
Эта технология имеет маленький расход энергии для своей работы. На один пиксель - менее одного пикоДжоуля. Помимо этого, очистка матрицы от зарядов через подачу сильного напряжения между электродами источника и стока стала очень просто, так же имеется высокая светочувствительность и низкий уровень шума. Однако, не без недостатков- низкая скорость работы. Полная, высококонтрастная экспозиция на такой матрице займёт секунды на каждый цвет.